Chiny usunęły przeszkodę. Ograniczenia eksportowe coraz mniej bolesne
Chińska branża półprzewodników ma kolejny powód do świętowania. Tym razem chodzi o jeden z najważniejszych elementów akceleratorów AI.
ChangXin Memory Technologies, czyli największy chiński producent DRAM, rozpoczął wytwarzanie pamięci HBM3E w niewielkich ilościach. Firma weszła tym samym na poziom wykorzystywany obecnie w wielu najwydajniejszych akceleratorach sztucznej inteligencji. Produkcja pozostaje jednak na wczesnym etapie, a uzysk ma nadal sprawiać problemy.
Masowa produkcja ma ruszyć pełną parą w 2027 roku
Różnica względem liderów rynku pozostaje zauważalna. Samsung, SK hynix i Micron produkują już HBM4, podczas gdy SK hynix dostarczył klientom pierwsze próbki jeszcze szybszych HBM4E. CXMT jest więc obecnie przynajmniej o jedną generację z tyłu, chociaż jeszcze niedawno chińskie możliwości w tym segmencie wyglądały znacznie skromniej.
Nowe pamięci są już podobno testowane przez chińskich projektantów układów, w tym T-Head należące do Alibaby, Huawei oraz Cambricon. Jeśli wszystko pójdzie zgodnie z planem, pierwsze produkty wykorzystujące HBM3E od CXMT mogą pojawić się w 2027 roku. Wtedy też producent zamierza wyraźnie zwiększyć skalę produkcji.
Chińczycy mają do tego coraz większe zaplecze. Obecne moce CXMT szacowane są na ok. 300 tysięcy wafli miesięcznie, a do końca roku wartość ta ma wzrosnąć do ok. 350 tysięcy. Dalsza rozbudowa zakładów może podnieść możliwości firmy do ponad 600 tysięcy wafli miesięcznie. Nie wiadomo jednak, jaka część zostanie przeznaczona na HBM.
Dla Chin jest to szczególnie istotne ze względu na amerykańskie ograniczenia eksportowe. Dostęp do najwydajniejszych zagranicznych HBM pozostaje jednym z problemów przy budowie krajowych akceleratorów AI. Własna HBM3E nie zrównuje jeszcze CXMT z konkurencją, ale usuwa kolejną przeszkodę na drodze do większej niezależności technologicznej.
