Chiny doganiają Koreę Południową. To już tylko 2-3 lata zaległości
Jeszcze kilka lat temu chińscy producenci pamięci wyraźnie odstawali od liderów rynku. Teraz różnica topnieje w oczach.
Według Korea Semiconductor Industry Association dystans technologiczny dzielący Chiny od Korei Południowej wynosi obecnie około 3 lat w przypadku zaawansowanych pamięci HBM, 2 lat dla klasycznych kości DRAM oraz zaledwie rok dla NAND. Jeszcze kilka lat temu w części tych segmentów mówiło się o różnicy sięgającej 4-5 lat.
CXMT i YMTC nadrabiają w ekspresowym tempie
Najlepiej widać to po ChangXin Memory Technologies. Chińczycy rozpoczęli już próbną produkcję HBM3E i testują nowe pamięci z lokalnymi producentami akceleratorów AI. Nadal oznacza to jedną-dwie generacje straty do Samsunga, SK hynix i Microna, które produkują HBM4 i pracują nad HBM4E, ale tempo rozwoju pozostaje bardzo wysokie.
CXMT zdążyło równocześnie wejść w masową produkcję LPDDR6. Pierwsze kości oferują 16 GB i do 12 800 MT/s, a trafiły już m.in. do smartfona Xiaomi 18 Fold. Producent zwiększa też skalę działalności - niezależne szacunki mówią o około 350 tysiącach wafli miesięcznie pod koniec 2026 roku.
Równie szybko rośnie YMTC. Koreańskie źródła wskazywały już wcześniej na pamięci NAND z około 270 warstwami oraz konstrukcje liczące 294 warstwy. Dla porównania SK hynix uruchomiło produkcję 321-warstwowych kości, a więc różnica nadal istnieje, ale przestała być przepaścią.
Najważniejszy wniosek jest więc prosty - amerykańskie ograniczenia eksportowe spowalniają chińskich producentów, ale nie zatrzymały ich rozwoju. W pamięciach NAND i DRAM Chiny są już bardzo blisko światowej czołówki, ale HBM nadal pozostaje problemem, głównie przez bardzo niski uzysk oznaczający wysoki koszt produkcji.
